技術外流風險：SK 海力士再爆員工跳槽華為洩密

SK 海力士前（SK Hynix）員工因涉嫌將先進封裝技術非法轉移至華為子公司海斯半導體（HiSilicon），而被正式起訴。這些技術概括 3D NAND、高頻寬記憶體（HBM）、多晶片封裝以及 CMOS 影像感測器（CIS） 的關鍵封裝方法，凸顯了技術外流與高科技機密傳遞的風險。

這名韓國籍人士曾在SK海力士任職，據稱於2022年應徵華為職位時，違規存取並盜用公司內部數據，拍攝超過11,000張機密文件照片。調查發現，他試圖通過移除公司標識和保密標籤來掩蓋資料來源。

雖然華為未明確要求該員工提供SK海力士的商業機密，但徵才過程中接受了這些資料。此事件加劇韓國對半導體專業知識外流的憂慮，特別是在美國限制對中國先進半導體出口、中國力求半導體自給自足的背景下。

這並非SK海力士員工首次因跳槽華為而盜竊智慧財產權。去年，另一名員工因攜帶4,000份機密文件至華為，被判處18個月有期徒刑並罰款。此案持續受到關注，因其涉及全球半導體產業競爭與知識產權保護的重大議題。

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（首圖來源：shutterstock）

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